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IXYS IXTH10N100D2

MFG-Teilenummer
IXTH10N100D2
verfügbare Anzahl
60100 Stücke
Referenzpreis
USD 7.918136
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXTH10N100D2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXTH10N100D2
Zukünftige Teilenummer FT-IXTH10N100D2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
IXTH10N100D2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320pF @ 25V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 695W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH10N100D2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXTH10N100D2-FT

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