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IXYS IXTH1N170DHV

MFG-Teilenummer
IXTH1N170DHV
verfügbare Anzahl
41470 Stücke
Referenzpreis
USD 7.5184
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXTH1N170DHV Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXTH1N170DHV
Zukünftige Teilenummer FT-IXTH1N170DHV
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
IXTH1N170DHV Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 25V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247HV
Paket / fall TO-247-3 Variant
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH1N170DHV Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXTH1N170DHV-FT

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