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Herstellerteilenummer | IXTH200N10T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH200N10T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMV™ |
IXTH200N10T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 550W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH200N10T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH200N10T-FT |
IXFR44N50Q3
IXYS
IXFR64N50Q3
IXYS
IXFR64N60Q3
IXYS
IXFR102N30P
IXYS
IXFR140N20P
IXYS
IXFR140N30P
IXYS
IXFR16N120P
IXYS
IXFR18N90P
IXYS
IXFR200N10P
IXYS
IXFR20N100P
IXYS
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel