Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTH30N60P
Herstellerteilenummer | IXTH30N60P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH30N60P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXTH30N60P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5050pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 540W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH30N60P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH30N60P-FT |
IXFR44N80P
IXYS
IXFR48N60P
IXYS
IXFR48N60Q3
IXYS
IXFR58N20
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IXFR64N60P
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IXFR80N60P3
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IXFR90N30
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IXTR140P10T
IXYS
IXTR210P10T
IXYS
IXFR120N20
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1K100QC208-1GZ
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