Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTH36P10
Herstellerteilenummer | IXTH36P10 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH36P10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTH36P10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH36P10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH36P10-FT |
IXFR34N80
IXYS
IXFR36N50P
IXYS
IXFR38N80Q2
IXYS
IXFR40N50Q2
IXYS
IXFR48N50Q
IXYS
IXFR4N100Q
IXYS
IXFR50N50
IXYS
IXFR52N30Q
IXYS
IXFR55N50
IXYS
IXFR64N50P
IXYS