Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTH6N50D2
Herstellerteilenummer | IXTH6N50D2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH6N50D2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTH6N50D2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 3A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH6N50D2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH6N50D2-FT |
IXFR40N90P
IXYS
IXFR44N50P
IXYS
IXFR44N50Q
IXYS
IXFR44N60
IXYS
IXFR44N80P
IXYS
IXFR48N60P
IXYS
IXFR48N60Q3
IXYS
IXFR58N20
IXYS
IXFR64N60P
IXYS
IXFR80N60P3
IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
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