Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTK110N30

| Herstellerteilenummer | IXTK110N30 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IXTK110N30 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | MegaMOS™ |
| IXTK110N30 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 390nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 730W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-264 (IXTK) |
| Paket / fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXTK110N30 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IXTK110N30-FT |

IXFK27N80Q
IXYS

IXFK32N100P
IXYS

IXFK32N80P
IXYS

IXFK32N90P
IXYS

IXFK34N80
IXYS

IXFK360N10T
IXYS

IXFK36N60P
IXYS

IXFK40N90P
IXYS

IXFK420N10T
IXYS

IXFK44N60
IXYS

XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.

XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.

A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation

XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.

XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.

A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation

M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation

ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX230HF35C2
Intel