Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTK20N150
Herstellerteilenummer | IXTK20N150 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTK20N150 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTK20N150 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-264 (IXTK) |
Paket / fall | TO-264-3, TO-264AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK20N150 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTK20N150-FT |
IXFK230N20T
IXYS
IXFB60N80P
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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