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IXYS IXTM35N30
- MFG-Teilenummer
- IXTM35N30
- verfügbare Anzahl
- 91580 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- IXYS
- Kurze Beschreibung
- GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IXTM35N30.pdf
IXTM35N30 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IXTM35N30 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IXTM35N30 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | GigaMOS™ |
| IXTM35N30 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Last Time Buy |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-204AE |
| Paket / fall | TO-204AE |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXTM35N30 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IXTM35N30-FT |
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