Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTM67N10
Herstellerteilenummer | IXTM67N10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTM67N10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™ |
IXTM67N10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 67A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 33.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-204AE |
Paket / fall | TO-204AE |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTM67N10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTM67N10-FT |
IXFL44N80
IXYS
IXFL60N60
IXYS
IXFL70N60Q2
IXYS
IXFL80N50Q2
IXYS
IXFM10N90
IXYS
IXFM11N80
IXYS
IXFM15N60
IXYS
IXFM1627
IXYS
IXFM1633
IXYS
IXFM1766
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel