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Herstellerteilenummer | IXTN120N25 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTN120N25 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MegaMOS™ |
IXTN120N25 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 730W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN120N25 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTN120N25-FT |
IXFN32N80P
IXYS
IXFN400N15X3
IXYS
IXFN40N110P
IXYS
IXFN40N110Q3
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IXFN50N120SK
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
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Intel
10AX016C3U19I2LG
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