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Herstellerteilenummer | IXTN200N10T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTN200N10T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMV™ |
IXTN200N10T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 550W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN200N10T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTN200N10T-FT |
IXFH80N20Q
IXYS
IXFH86N30T
IXYS
IXFH88N20Q
IXYS
IXFH8N80
IXYS
IXFH9N80Q
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IXTN60N50L2
IXYS
IXFN230N10
IXYS
IXFN80N50P
IXYS
IXFN180N10
IXYS
IXFN360N15T2
IXYS
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel