Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTN210P10T
Herstellerteilenummer | IXTN210P10T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTN210P10T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchP™ |
IXTN210P10T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 210A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 105A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 740nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 69500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 830W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN210P10T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTN210P10T-FT |
IXFH86N30T
IXYS
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IXYS
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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5AGTFC7H3F35I3G
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