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Herstellerteilenummer | IXTN550N055T2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTN550N055T2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™, TrenchT2™ |
IXTN550N055T2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 550A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 595nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 40000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 940W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN550N055T2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTN550N055T2-FT |
IXFN24N100
IXYS
IXTN170P10P
IXYS
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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