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Herstellerteilenummer | IXTP1R4N100P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTP1R4N100P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Polar™ |
IXTP1R4N100P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP1R4N100P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTP1R4N100P-FT |
IXTP180N10T
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IXFP4N100Q
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A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.