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IXYS IXTP1R6N100D2

Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTP1R6N100D2
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (385 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTP1R6N100D2

verfügbare Anzahl: 40140 Stücke

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTP1R6N100D2.pdf

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IXTP1R6N100D2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTP1R6N100D2
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTP1R6N100D2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IXTP1R6N100D2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
FET-Funktion	Depletion Mode
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP1R6N100D2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTP1R6N100D2-FT

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