Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTP32N20T

IXYS IXTP32N20T

Name: IXTP32N20T
Brand: IXYS
SKU: IXTP32N20T
Price: 1.5 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (523 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTP32N20T

verfügbare Anzahl: 54260 Stücke

Referenzpreis: USD 1.5

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 200V 32A TO-220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTP32N20T.pdf

Angebot anfordern für IXTP32N20T

Name der Firma

Gesprächspartner

Telefonnummer

Adresse

Email

Botschaft

IXTP32N20T Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTP32N20T
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTP32N20T
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IXTP32N20T Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1760pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP32N20T Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTP32N20T-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns