Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTP3N100D2
Herstellerteilenummer | IXTP3N100D2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTP3N100D2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTP3N100D2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP3N100D2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTP3N100D2-FT |
IXTH150N17T
IXYS
IXTH152N085T
IXYS
IXTH160N075T
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IXTH160N15T
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IXTH200N085T
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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