Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTP3N50D2
Herstellerteilenummer | IXTP3N50D2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTP3N50D2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTP3N50D2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1070pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP3N50D2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTP3N50D2-FT |
IXTH200N075T
IXYS
IXTH200N085T
IXYS
IXTH20N60
IXYS
IXTH220N055T
IXYS
IXTH220N075T
IXYS
IXTH230N085T
IXYS
IXTH240N055T
IXYS
IXTH24N50L
IXYS
IXTH250N075T
IXYS
IXTH280N055T
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel