Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTQ110N055P
Herstellerteilenummer | IXTQ110N055P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTQ110N055P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHT™ |
IXTQ110N055P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 390W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ110N055P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTQ110N055P-FT |
IXTP70N085T
IXYS
IXTP72N20T
IXYS
IXTP74N15T
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IXTP76N075T
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IXTP7N60P
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IXTP7N60PM
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IXTP88N085T
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IXTP8N50P
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IXTP8N50PM
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IXTP90N055T
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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