Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTQ140N10P
Herstellerteilenummer | IXTQ140N10P |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXTQ140N10P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHT™ |
IXTQ140N10P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 140A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 600W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ140N10P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTQ140N10P-FT |
IXTP160N075T
IXYS
IXTP160N085T
IXYS
IXTP180N055T
IXYS
IXTP180N085T
IXYS
IXTP182N055T
IXYS
IXTP1N80
IXYS
IXTP1R4N60P
IXYS
IXTP1R6N50P
IXYS
IXTP200N075T
IXYS
IXTP200N085T
IXYS
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel