Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTQ200N10T
Herstellerteilenummer | IXTQ200N10T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTQ200N10T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMV™ |
IXTQ200N10T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 550W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ200N10T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTQ200N10T-FT |
IXFP3N50PM
IXYS
IXFP3N80
IXYS
IXFP5N50PM
IXYS
IXFP7N80PM
IXYS
IXFP8N50PM
IXYS
IXKP10N60C5
IXYS
IXKP13N60C5
IXYS
IXKP20N60C5
IXYS
IXKP35N60C5
IXYS
IXTP02N50D
IXYS
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel