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IXYS IXTT10N100D2
- MFG-Teilenummer
- IXTT10N100D2
- verfügbare Anzahl
- 97030 Stücke
- Referenzpreis
- USD 8.4064
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- IXYS
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IXTT10N100D2.pdf
IXTT10N100D2 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IXTT10N100D2 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IXTT10N100D2 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| IXTT10N100D2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5320pF @ 25V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 695W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXTT10N100D2 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IXTT10N100D2-FT |
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