Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTT16P60P
Herstellerteilenummer | IXTT16P60P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTT16P60P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarP™ |
IXTT16P60P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 460W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT16P60P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTT16P60P-FT |
IXFK88N30P
IXYS
IXFK94N50P2
IXYS
IXTK100N25P
IXYS
IXTK102N30P
IXYS
IXTK120N20P
IXYS
IXTK120N25P
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IXYS
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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