Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTT8P50
Herstellerteilenummer | IXTT8P50 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTT8P50 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTT8P50 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT8P50 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTT8P50-FT |
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