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Herstellerteilenummer | IXTV200N10T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTV200N10T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMV™ |
IXTV200N10T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 550W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PLUS220 |
Paket / fall | TO-220-3, Short Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV200N10T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTV200N10T-FT |
IXFN180N20
IXYS
IXFN80N60P3
IXYS
IXFN100N50Q3
IXYS
IXFN130N30
IXYS
IXFN21N100Q
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IXYS
IXFN80N50Q3
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
Intel