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IXYS IXTV200N10T

MFG-Teilenummer
IXTV200N10T
verfügbare Anzahl
60620 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXTV200N10T Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXTV200N10T
Zukünftige Teilenummer FT-IXTV200N10T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchMV™
IXTV200N10T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 550W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PLUS220
Paket / fall TO-220-3, Short Tab
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTV200N10T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXTV200N10T-FT

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