Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N3174
Herstellerteilenummer | JAN1N3174 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N3174 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/211 |
JAN1N3174 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 300A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 940A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10mA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AB, DO-9 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 200°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3174 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N3174-FT |
JANS1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5802US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804US
Microsemi Corporation
JAN1N5802US
Microsemi Corporation
JAN1N5806US
Microsemi Corporation
JAN1N5804US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5802US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5804US
Microsemi Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel