Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N3646
Herstellerteilenummer | JAN1N3646 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N3646 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
JAN1N3646 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1750V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1750V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | S, Axial |
Supplier Device Package | S, Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3646 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N3646-FT |
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel