Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N3647
Herstellerteilenummer | JAN1N3647 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N3647 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
JAN1N3647 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 3000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1500V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | S, Axial |
Supplier Device Package | S, Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3647 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N3647-FT |
IDC75S120C5X7SA1
Infineon Technologies
IDD04SG60CHUMA1
Infineon Technologies
IDD06SG60CHUMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA1
Infineon Technologies
IDFW60C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDP23011XUMA1
Infineon Technologies
IDT04S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT05S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT06S60CHKSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel