Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JAN1N4104DUR-1
Herstellerteilenummer | JAN1N4104DUR-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N4104DUR-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/435 |
JAN1N4104DUR-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Toleranz | ±1% |
Leistung max | - |
Impedanz (max.) (Zzt) | 200 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 7.6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AA (Glass) |
Supplier Device Package | DO-213AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4104DUR-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N4104DUR-1-FT |
JAN1N4574AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4575AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4576AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4577AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4578AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4579AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4580AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4581AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4582AUR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4583AUR-1
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel