Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N457
Herstellerteilenummer | JAN1N457 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N457 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/193 |
JAN1N457 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 70V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25nA @ 70V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N457 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N457-FT |
UES1302
Microsemi Corporation
1N5825
Microsemi Corporation
1N4725
Microsemi Corporation
MX1H5615
Microsemi Corporation
APT15DQ60BG
Microsemi Corporation
APT15DQ120BG
Microsemi Corporation
APT15DQ100BG
Microsemi Corporation
APT30D60BG
Microsemi Corporation
APT40DQ100BG
Microsemi Corporation
APT100S20BG
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel