Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JAN1N4959
Herstellerteilenummer | JAN1N4959 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N4959 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/356 |
JAN1N4959 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 5W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 2.5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 8.4V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | E, Axial |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4959 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N4959-FT |
JAN1N4955
Microsemi Corporation
JAN1N4956
Microsemi Corporation
JAN1N4958
Microsemi Corporation
JAN1N4960
Microsemi Corporation
JAN1N4962
Microsemi Corporation
JAN1N4966
Microsemi Corporation
JAN1N4967
Microsemi Corporation
JAN1N4969
Microsemi Corporation
JAN1N4971
Microsemi Corporation
JAN1N4972
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation