Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JAN1N4966US
Herstellerteilenummer | JAN1N4966US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N4966US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/356 |
JAN1N4966US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 5W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 16.7V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | E-MELF |
Supplier Device Package | D-5B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4966US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N4966US-FT |
JANTXV1N4117D-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4118-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4118C-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4118D-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4119-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4119C-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4119D-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4120-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4122-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4125-1
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel