Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5419US
Herstellerteilenummer | JAN1N5419US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5419US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JAN1N5419US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 500V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 500V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | D-5B |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5419US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5419US-FT |
VSSAF5M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel