Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5550US
Herstellerteilenummer | JAN1N5550US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5550US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JAN1N5550US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | D-5B |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5550US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5550US-FT |
IRD3CH11DF6
Infineon Technologies
IRD3CH16DB6
Infineon Technologies
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
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XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
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AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
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10CL055YU484C8G
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10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
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