Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N5610
Herstellerteilenummer | JAN1N5610 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5610 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/434 |
JAN1N5610 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 30.5V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 33V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 47.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 32A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | G, Axial |
Supplier Device Package | G, Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5610 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5610-FT |
DLTS19C
Microsemi Corporation
DLTS19CA
Microsemi Corporation
DLTS24
Microsemi Corporation
DLTS24A
Microsemi Corporation
DLTS30
Microsemi Corporation
DLTS30A
Microsemi Corporation
DLTS30C
Microsemi Corporation
DLTS30CA
Microsemi Corporation
DLTS5
Microsemi Corporation
DLTS5A
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-FPQ208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
5SGXEA7K2F35I2N
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC5VSX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.