Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5614
Herstellerteilenummer | JAN1N5614 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5614 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JAN1N5614 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | A, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 200°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5614 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5614-FT |
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
CDLL0.2A30
Microsemi Corporation
CDLL0.2A40
Microsemi Corporation
CDLL0.5A20
Microsemi Corporation
CDLL0.5A30
Microsemi Corporation
CDLL0.5A40
Microsemi Corporation
CDLL2810
Microsemi Corporation
CDLL483B
Microsemi Corporation
CDLL485B
Microsemi Corporation
CDLL486B
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel