Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5617US
Herstellerteilenummer | JAN1N5617US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5617US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JAN1N5617US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | D-5A |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5617US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5617US-FT |
VSSAF5M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RURP1560-F085P
ON Semiconductor
SK15H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS1045RL
STMicroelectronics
STPS2L40AF
STMicroelectronics
2941497
Phoenix Contact
B120AE-13
Diodes Incorporated
B130AE-13
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel