Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5618
Herstellerteilenummer | JAN1N5618 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5618 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JAN1N5618 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | A, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 200°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5618 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5618-FT |
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RURP1560-F085P
ON Semiconductor
SK15H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS1045RL
STMicroelectronics
STPS2L40AF
STMicroelectronics
2941497
Phoenix Contact
B120AE-13
Diodes Incorporated
B130AE-13
Diodes Incorporated
B140AE-13
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel