Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5804URS
Herstellerteilenummer | JAN1N5804URS |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5804URS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5804URS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | A-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5804URS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5804URS-FT |
S25K
GeneSiC Semiconductor
S25KR
GeneSiC Semiconductor
S25M
GeneSiC Semiconductor
S25MR
GeneSiC Semiconductor
S25Q
GeneSiC Semiconductor
S25QR
GeneSiC Semiconductor
S300B
GeneSiC Semiconductor
S300BR
GeneSiC Semiconductor
S300D
GeneSiC Semiconductor
S300DR
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel