Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5807US
Herstellerteilenummer | JAN1N5807US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5807US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5807US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5807US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5807US-FT |
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
IRD3CH31DB6
Infineon Technologies
IRD3CH31DD6
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IRD3CH31DF6
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IRD3CH42DB6
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IRD3CH42DD6
Infineon Technologies
IRD3CH42DF6
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IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
IRD3CH53DD6
Infineon Technologies
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel