Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5807
Herstellerteilenummer | JAN1N5807 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5807 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5807 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | B, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5807 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5807-FT |
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
IRD3CH24DD6
Infineon Technologies
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
IRD3CH31DB6
Infineon Technologies
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
IRD3CH42DD6
Infineon Technologies
IRD3CH42DF6
Infineon Technologies
IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel