Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5809
Herstellerteilenummer | JAN1N5809 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5809 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5809 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | B, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5809 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5809-FT |
B140AE-13
Diodes Incorporated
B150AE-13
Diodes Incorporated
B160AE-13
Diodes Incorporated
B220AE-13
Diodes Incorporated
B230AE-13
Diodes Incorporated
B245AE-13
Diodes Incorporated
B250AE-13
Diodes Incorporated
B260AE-13
Diodes Incorporated
B330AE-13
Diodes Incorporated
B345AE-13
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel