Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5819-1
Herstellerteilenummer | JAN1N5819-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5819-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JAN1N5819-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-41 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5819-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5819-1-FT |
APT60S20BG
Microsemi Corporation
APT30S20BG
Microsemi Corporation
APT60D60BG
Microsemi Corporation
APT75DQ60BG
Microsemi Corporation
MSC020SDA120B
Microsemi Corporation
APT30DQ100BG
Microsemi Corporation
APT60D100BG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BG
Microsemi Corporation
APT60DQ60BG
Microsemi Corporation
MSC015SDA120B
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel