Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5819UR-1/TR
Herstellerteilenummer | JAN1N5819UR-1/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5819UR-1/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JAN1N5819UR-1/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
Supplier Device Package | DO-213AB (MELF, LL41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5819UR-1/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5819UR-1/TR-FT |
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
IRD3CH42DD6
Infineon Technologies
IRD3CH42DF6
Infineon Technologies
IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
IRD3CH53DD6
Infineon Technologies
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
IRD3CH5BD6
Infineon Technologies
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DD6
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel