Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N5819UR-1
Herstellerteilenummer | JAN1N5819UR-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N5819UR-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JAN1N5819UR-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
Supplier Device Package | DO-213AB (MELF, LL41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5819UR-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N5819UR-1-FT |
CDLL4153
Microsemi Corporation
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
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CDLL3600
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CDLL4148
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CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel