Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6105US
Herstellerteilenummer | JAN1N6105US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6105US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6105US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 6.9V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 8.22V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 14.07V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 35.44A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6105US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6105US-FT |
GL24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005ALV-4AC
Microchip Technology
A1415A-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K1F40C2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
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5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
LFE3-70EA-9FN1156I
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LFE2M100E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC208-3
Intel