Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6106US
Herstellerteilenummer | JAN1N6106US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6106US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6106US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 7.6V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 9.03V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 15.23V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 32.78A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6106US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6106US-FT |
GSOT04C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT15-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT15C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel