Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6107US
Herstellerteilenummer | JAN1N6107US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6107US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6107US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 8.4V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 9.93V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 16.38V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 30.4A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6107US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6107US-FT |
GSOT08C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT15-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT15C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
HSP053-4M5
STMicroelectronics
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel