Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6109US
Herstellerteilenummer | JAN1N6109US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6109US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6109US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 9.9V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 11.73V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 19.11V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 26.13A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6109US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6109US-FT |
GSOT36C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
HSP053-4M5
STMicroelectronics
HSP061-4F4
STMicroelectronics
ICT-10
Microsemi Corporation
ICT-10C
Microsemi Corporation
ICT-12
Microsemi Corporation
ICT-12C
Microsemi Corporation
ICT-15
Microsemi Corporation
ICT-15C
Microsemi Corporation
ICT-18
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SGXMA9K1H40I2N
Intel
5SGXEA3K3F35C4N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SB484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C3N
Intel